О том, что новые смартфоны линейки Galaxy должны стать супер-прогрессивными смартфонами уже никто не сомневается. Это подтверждают и слухи о то, что новый флагман начали разрабатывать с нуля, собственно как и тестировать различные новые технологии, который смогли бы сделать прорыв на рынке мобильных устройств. Сегодня один из именитых корейских ресурсов поделился ещё одной интересной информацией о том, что Samsung готовится к производству сверхбыстрых накопителей UFS 2.0 NAND, который будут использоваться в будущем Samsung Galaxy S6.
Данная технология значительно превосходит нынешнюю EMMC Nand Flash, где скорость передачи данных доходит до 400 Мб/с. По словам источника UFS (Universal Flash Storage) 2.0 NAND Flash обеспечивает скорость до 1,2 Гбайт/с.
Это довольно высокая пропускная способность, которая позволит работать устройствам ещё быстрее, повысится и скорость записи/чтения данных. Технология создана по типу твердотельных SSD накопителей, используемых в дорогих ПК. К тому же, новая технология потребляет на 50% меньше мощности, что также позитивно скажется на автономности и производительности.
Учитывая, что корейский гигант является ведущим производителем компонентов NAND Flash, производство новых модулей ROM-памяти позитивно скажется на закреплении позиций компании, как в данной нише, так и на рынке мобильных устройств. Кстати говоря, если Galaxy S6 получит такой сверхбыстрый накопитель, то вполне вероятно, что он будет оборудован и портом microUSB 3.0, для максимально быстрого обмена данными.
