В Самсунг Галакси С6 будет супер скоростная память

В канун релиза новых смартфонов компания Samsung сделала официальное заявление о том, что помимо нового чипсета и модулей оперативной памяти собственного производства, в Samsung Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge будут использоваться новые супер-быстрые физические накопители Universal Flash Storage (UFS) 2.0. Все три версии флеш-памяти (32 ГБ, 64 ГБ и 120 ГБ), установленные в разных модификациях смартфонов, созданы по данной технологии.

Кстати, предполагается что флагманы не получат слот для карт памяти microSD, с помощью которых можно было бы расширить внутренний накопитель и обусловлено это видимо как раз новыми более мощными чипами с минимальным пространством 32 ГБ. Что касается производительности UFS 2.0, то представители корейской компании акцентируют на высочайшей скорости работы с данными – 19000 операций ввода/вывода в секунду, что в 2,7 раза выше, чем в любом другом топовом устройстве на данный момент, где используется память EMMC 5.0.

Помимо обеспечения более быстрого доступа ко всем записанным данным, новые чипы потребляют и меньше энергии. В сумме с высокопроизводительным чипсетом, такой тип физической памяти должен обеспечить просто молниеносную работу.

ВАША ОЦЕНКА?
12345 (4 гол., 3,75)
Loading...Loading...
Предыдущая статьяОфициальное подтверждение цветов Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge
Следующая статьяИзогнутый дисплей Galaxy S6 Edge не будет особо функциональным