Смартфоны Samsung Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge оборудованы новым типом накопителей UFS 2.0, который является последним инновационным решением памяти для мобильных устройств. До сей поры во всех топовых гаджетах устанавливалась память типа NAND стандарта EMMC 5.0 и не так давно Samsung презентовали стандарт EMMC 5.1, в котором скорость чтения данных достигала до 250 Мб/с, а записи 125 Мб/с.
Все были приятно удивлены, увидев данные показатели и прогнозировали, что именно такую память установят в будущем флагмане. Но Samsung пошли ещё дальше и оснастили модели памятью UFS 2.0, которая продемонстрировала просто нереальные показатели – скорость достигает 1,4 Гб/с!
Помимо этого UFC память позволяет одновременно обрабатывать процессы чтения/записи и выставлять приоритеты процессам, чтобы все, что необходимо пользователю в данный момент выполнялось как можно быстрее.
Убедится в этом позволил тест AndroBench, с помощью которого были испытаны обе новинки – Самсунг Галакси С6 и Галакси С6 Эдж.
Результаты сравнили с предшествующими флагманскими моделями: Galaxy Note 4, Galaxy S5, Sony Xperia Z3, LG G3, HTC M8. Кажется, в Samsung не шутили о невероятной скорости – новые смартфоны просто положили на лопатки соперников, показав невероятный отрыв.
